
一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法
- 申请号:CN201410682116.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院青海盐湖研究所
- 公开(公开)号:CN104371720A
- 公开(公开)日:2015.02.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法 | ||
申请号 | CN201410682116.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN104371720A | 公开(授权)日 | 2015.02.25 |
申请(专利权)人 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 发明(设计)人 | 年洪恩;周园;吴志坚;孙庆国;李翔;申月;海春喜;任秀峰;曾金波;董欧阳;云强;李松;张立娟 |
主分类号 | C09K11/78(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/78(2006.01)I |
专利有效期 | 一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法 至一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种铕掺杂的硼酸钇薄膜的发光性能的调控方法,包括1)水溶性钇盐、水溶性铕盐、硼酸和醇的水溶液混合,所述醇和水混溶;2)向步骤2)得到的混合物中加入交联剂和螯合剂;3)步骤2)得到的混合物反应3~5h后静置24~48h;4)对硅底片进行镀膜,镀膜速率为0.88~1.52mm/s;5)镀膜后进行煅烧、退火,得到YBO3:Eu3+薄膜。本发明的优点在于:溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备YBO3:Eu3+纳米材料,具有设备简单、低成本、反应温度低、化学成分易控制、发光光谱可调控(橙色发光峰调弱、红色发光峰红移)的优势。 |
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