专利详情

专利名称	基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池
申请号	CN201410499763.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104362184A	公开（授权）日	2015.02.18
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	吴俊;周常河
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/054(2014.01)I;G02B5/18(2006.01)I
专利有效期	基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池至基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于可见光波段(300-800nm)的基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池，该太阳能电池的顶部减反薄膜厚度为55～60纳米，中间的光栅吸收层周期为505～515纳米、厚度和占空比分别为为95～105纳米、0.7～0.75，波导吸收层的厚度为45～55纳米。当光垂直入射时，其在300-800nm波段的平均积分吸收效率高于66％，并且平均积分吸收效率有着很大的角度无关性，其在0-66°的入射角范围内高于60％。本发明基于减反结构和导模谐振的薄膜非晶硅太阳能电池由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。