专利详情

专利名称	一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法
申请号	CN201410582180.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104362187A	公开（授权）日	2015.02.18
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李效民;丁绪坤;高相东;张树德
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I
专利有效期	一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法至一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法，所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅，优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域，本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、并简化薄膜的制备方法，本发明制备的碘化铅和氧化铅复合物薄膜晶粒尺寸小，表面平整，在X射线成像和探测、气敏传感器、光学存储器件等领域有潜在应用。