专利详情

专利名称	SOI动态阈值晶体管
申请号	CN201410675314.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104362174A	公开（授权）日	2015.02.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	SOI动态阈值晶体管至SOI动态阈值晶体管	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。