专利详情

专利名称	一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源
申请号	CN201410736200.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104362063A	公开（授权）日	2015.02.18
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	张成祥;谭思晴;郑海荣;胡占利;陈垚;桂建宝;洪序达;张韵婉
主分类号	H01J35/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01J35/24(2006.01)I;H01J35/08(2006.01)I;A61B6/03(2006.01)I
专利有效期	一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源至一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，至少包括机壳、阳极和阴极，其中，所述阳极的数量在50个至90个之间，所述阴极的数量在50个至90个之间，所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设置在所述机壳内部，所述阳极为固定阳极，所述阴极为碳纳米管阴极。本发明提供一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源，将阳极和阴极装配与机架的机壳内，与机架形成整体封装碳纳米射线源，阳极采用固定阳极，阴极采用碳纳米阴极，使阳极具有较好的散热性能，保证了成像质量，提高了可靠性，以及降低了生产和维护成本，另外，该CT成像系统具有低功率和瞬间热熔量较低的特点，延长CT成像系统的连续工作时间，满足需要连续扫描工作的要求。