专利详情

专利名称	一种SOI器件结构及其制作方法
申请号	CN201410541928.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104362093A	公开（授权）日	2015.02.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种SOI器件结构及其制作方法至一种SOI器件结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底，SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区，所述有源区中形成有MOS晶体管；所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间，所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极，该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中，并与MOS晶体管的栅极连接。本发明通过简单的工艺优化形成3D的SOI器件，无需增加光罩数量，与CMOS工艺兼容；SOI器件结构中除了常规栅极，还包括侧壁栅极，使得有源区侧壁变成沟道，在相同的器件面积下，可以大大增加器件的有效宽度，进而增加驱动电流，提高器件性能；并且STI与侧壁沟道被多晶硅侧壁栅极隔开，使得STI远离有源区侧壁，能够提高器件的抗总剂量辐射能力。