专利详情

专利名称	遂穿场效应晶体管及其制造方法
申请号	CN201310315534.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104347725A	公开（授权）日	2015.02.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱正勇;朱慧珑;许淼
主分类号	H01L29/786(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	遂穿场效应晶体管及其制造方法至遂穿场效应晶体管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种遂穿场效应晶体管，包括：半导体层；第一栅介质层和第二栅介质层，分别位于半导体层的相对的两个表面上；源极区和漏极区，具有不同的掺杂类型，分别位于半导体层的两侧且与半导体层相接触；第一栅极和第二栅极，分别位于第一栅介质层和第二栅介质层上。本发明通过沟道区的薄厚来控制遂穿结，并具有更大的有效遂穿面积，因此可提高导通电流。同时，本发明的晶体管结构，其遂穿发生于半导体层中，即沟道中，由于隧穿层是非掺杂或低掺杂的，因此可降低由于缺陷引起的漏电流，从而改善器件的亚阈值特性。此外，由于采用双栅控制，因此能更好控制双极导通特性，实现器件关断。