专利详情

专利名称	辐射探测电路
申请号	CN201410643636.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104345329A	公开（授权）日	2015.02.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生
主分类号	G01T1/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01T1/02(2006.01)I
专利有效期	辐射探测电路至辐射探测电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种辐射探测电路，包括：第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管、第一电流源、第二电流源和差分放大器，其中，第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管均用于感测待测辐射；第一电流源和第一辐射敏感PMOS晶体管串联形成第一支路；第二电流源和第二辐射敏感PMOS晶体管串联形成第二支路；第一支路和第二支路并联，且从第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管分别引出的第一支路输出端、第二支路输出端接到差分放大器的两个输入端，差分放大器的输出反映出待测辐射的大小。本发明提供了一种辐射探测电路，它结构简单，并减轻环境噪声的影响。