专利详情

专利名称	一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法
申请号	CN201410444235.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104332557A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	邓娅;张健;孙连峰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法至一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于单壁碳管的非易失性存储器及其制备方法，属于存储器领域。该存储器包括：基底；第一电极，形成于基底上，第一电极为金属材料，用于执行“读”功能；第二电极，形成于基底上，第二电极为铁磁性材料，用于执行“写”功能；第三电极，形成于基底上，第三电极为金属材料，用于执行“擦”功能；单壁碳管，单壁碳管的固定端固定在第一电极中，开口端悬空于第二电极上方；第二电极位于第一电极和第三电极之间，单壁碳管的长度足以使其弯曲后，单壁碳管的开口端与所述第二电极接触。本发明提供的基于单壁碳管的非易失性存储器具有尺寸小、发热少、能耗低、存储速度快、和寿命长的特点，从而提高集成电路和器件的集成度。