专利详情

专利名称	一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法
申请号	CN201410552789.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104332304A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵建华;王海龙
主分类号	H01F41/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01F41/14(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I
专利有效期	一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法至一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜的方法，包括：在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长(In，Ga)As缓冲层；降低生长温度，在(In，Ga)As缓冲层上生长(Ga,Mn)As薄膜；在(Ga,Mn)As薄膜表面沉积一层面内易磁化的铁磁金属；在铁磁金属上生长一层Al薄膜用于防止铁磁金属氧化。利用本发明，仅通过分子束外延方法生长(In，Ga)As缓冲层在(Ga,Mn)As薄膜中引入面内张应变，使其易磁化轴垂直于表面，继而分离了铁磁金属和(Ga,Mn)As薄膜的宏观磁信号并获得了厚度大于10?nm的室温铁磁性(Ga,Mn)As薄膜。