专利详情

专利名称	一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201410482922.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104332405A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;叶林;许宝建;蔡奇;王刚;张苗
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I
专利有效期	一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法至一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种锗纳米线场效应晶体管的制备方法，包括步骤1）提供SGOI衬底结构；2）刻蚀SiGe层，形成SiGe纳米线阵列；3）对步骤2）的结构进行锗浓缩，得到表面被SiO₂层包裹的锗纳米线阵列；4）去除包裹在纳米线两端表面的SiO₂层，裸露出锗纳米线的两端；5）在锗纳米线的延长线上沉积金属引线、源极电极和漏极电极，在硅衬底上制作栅极电极；6）在步骤5）的结构表面形成Si₃N₄保护层；7）去除纳米线图形区域和金属电极图形区域内的Si₃N₄保护层，直至完全露出锗纳米线、源极电极和漏极电极。本发明的锗纳米线基于自上而下的方法，工艺过程简单，可控性强，与传统的CMOS工艺完全兼容，成本较低，适于工业生产。