专利详情

专利名称	THz天线阵列的制作方法
申请号	CN201410412325.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104332718A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	梁松;朱洪亮
主分类号	H01Q21/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01Q21/00(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I
专利有效期	THz天线阵列的制作方法至THz天线阵列的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。