专利详情

专利名称	一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法
申请号	CN201310310028.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104332398A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;胡赵胜;李俊杰;全保刚
主分类号	H01L21/306(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/306(2006.01)I
专利有效期	一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法至一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种大面积制备伞状硅锥复合结构阵列的方法，其包括以下步骤：步骤A：在清洗好的硅衬底基片上，采用镀膜设备生长的氮化硅层；步骤B：在氮化硅层上旋涂光刻胶，采用紫外光刻法在光刻胶上制备正方形阵列图形；步骤C：将步骤B中得到的产品采用酸性溶液各向同性腐蚀和碱性溶液各向异性腐蚀出伞状硅锥阵列；步骤D：将经上一步处理后的产品放置于氢氟酸以及去离子水中洗去残留的氮化硅。采用此方法制备伞状硅锥复合型结构，其生产效率高，且生产成本较低，具有更广泛的适用性，且由此简单的两步各向异性腐蚀技术制备的硅纳米锥结构无损伤、表面光滑并克服了湿法腐蚀在制作纳米量级锥尖上的困难。