专利详情

专利名称	基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法
申请号	CN201410583521.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104330440A	公开（授权）日	2015.02.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	裴为华;陈远方;归强;陈弘达
主分类号	G01N27/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/00(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I
专利有效期	基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法至基于有机晶体管的植入式柔性传感器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于有机晶体管的植入式柔性传感器，包括：一衬底支撑层；一左金属源电极，该左金属源电极制作在该衬底支撑层表面中间的一侧；一右金属漏电极，该右金属漏电极制作在该衬底支撑层表面中间的另一侧，与金属源电极相隔一预定距离；一绝缘层，该绝缘层制作在衬底支撑层和左金属源电极和右金属漏电极的部分上面，该绝缘层的中间为断开窗口；一有机导电聚合物有源层，该导电聚合物有源层制作在绝缘层断开的窗口内，并覆盖左金属源电极和右金属漏电极，该导电聚合物有源层对电生理活动所引起的离子浓度敏感；一辅助传感器植入目标组织的鞘结构，该鞘结构制作在绝缘层断开一侧的上面，该鞘结构用于辅助整个柔性传感器植入到脑组织深部，以便记录到单个神经元信号。