专利详情

专利名称	基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法
申请号	CN201410638056.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104316725A	公开（授权）日	2015.01.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;邹宏硕;王家畴;张鲲
主分类号	G01P15/12(2006.01)I	IPC主分类号	G01P15/12(2006.01)I
专利有效期	基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法至基于(111)单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于（111）单晶硅片的高谐振频率高冲击加速度计及制作方法，所述加速度计包括（111）单晶硅基底和集成于单晶硅基底一面的固支板、微梁与力敏电阻。该单晶硅基底上所有功能部件均位于所述单晶硅基底的一面，所述单晶硅基底的另一面不参与工艺制作，加工后的芯片具有尺寸小、工艺简单、成本低的特点，适合大批量生产。同时，所述加速度计实现了高g值、高频响、高带宽的测量要求，大大改善了加速度计的动态测量特性。