一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201410581890.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN104313685A
- 公开(公开)日：2015.01.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410581890.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104313685A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 朱秋香;李效民;郑仁奎;高相东 |
| 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法 至一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法，所述铁氧化物薄膜包含反铁磁性氧化亚铁薄层、以及在所述反铁磁性氧化亚铁薄层上外延生长的亚铁磁性四氧化三铁薄层。 | ||
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