能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法
- 申请号：CN201410520197.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN104310457A
- 公开(公开)日：2015.01.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 | ||
| 申请号 | CN201410520197.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104310457A | 公开（授权）日 | 2015.01.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 仇鹏飞;史迅;陈立东;张天松 |
| 主分类号 | C01G3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G3/12(2006.01)I;C01G49/12(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 至能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种能够抑制Cu离子迁移的热电材料以及抑制Cu基热电材料中Cu离子迁移的方法，所述热电材料的化学组成为Cu2-m-nTnX，其中，X为S或Se，T为大电流作用下不可移动的过渡金属元素，0 m 1，0＜n 0.5。 | ||
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