半导体发光器件
- 申请号：CN201420247273.1
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN204118112U
- 公开(公开)日：2015.01.21
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 半导体发光器件 | ||
| 申请号 | CN201420247273.1 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN204118112U | 公开（授权）日 | 2015.01.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 梁秉文 |
| 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体发光器件 至半导体发光器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片，该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联，并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。所述凹槽优选为V型槽。本实用新型可有效提升半导体发光器件的有效出光面积，大幅提高出光效率。 | ||
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