金锡薄膜的制备装置和方法
- 申请号：CN201410571421.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号：CN104294218A
- 公开(公开)日：2015.01.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 金锡薄膜的制备装置和方法 | ||
| 申请号 | CN201410571421.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104294218A | 公开（授权）日 | 2015.01.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 孙广伟;辛国锋;皮浩洋;封惠忠;于阿滨;蔡海文;瞿荣辉 |
| 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/26(2006.01)I |
| 专利有效期 | 金锡薄膜的制备装置和方法 至金锡薄膜的制备装置和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种金锡薄膜制备装置和方法，该装置包括蒸发室、公转轴、公转盘、固定轴、工件架、推杆、支撑架、滑槽、电极和蒸发舟，通过推杆的移动推动Au球和Sn球沿着滑槽滚动落到蒸发舟上从而实现AuSn薄膜的制备，本发明可以精确控制AuSn薄膜中Au和Sn的厚度和比例，得到的薄膜具有结构致密、成分分布均匀的特点，在半导体激光器封装领域具有很高的应用价值。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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