专利详情

专利名称	测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法
申请号	CN201310286669.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104280614A	公开（授权）日	2015.01.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑;叶甜春
主分类号	G01R27/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01R27/02(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I
专利有效期	测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法至测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法，包括：测量至少四个MOS器件阵列中每一个MOS器件阵列的电阻，其中每个MOS器件阵列包括：至少两个等间距排列的MOS器件，所述MOS器件具有相同的沟道宽度和长度，并且都包括位于栅极两侧的相同宽度的侧墙；第一和第二引出部分，分别将MOS器件阵列最外侧的两个MOS器件的源区或漏区引出；以及第三引出部分，将所有MOS器件的栅极连接在一起引出，不同MOS器件阵列彼此之间在器件数量、沟道长度和器件间距中至少之一上有所不同而沟道宽度相同；并且每个MOS器件阵列的第一和第二引出部分具有相同的构造；根据测量结果计算侧墙下电阻的大小。