专利详情

专利名称	高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法
申请号	CN201310294766.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104276823A	公开（授权）日	2015.01.14
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李寅生;闫永杰;黄政仁;刘学建;陈忠明
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法至高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。本发明提供的高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料通过原位反应引入碳化硼相，且碳含量低，提高了碳化硅陶瓷的绝缘性能，并提高了材料的综合性能。