专利详情

专利名称	一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片
申请号	CN201420310542.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN204088348U	公开（授权）日	2015.01.07
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	叶振华;张鹏;陈奕宇;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力
主分类号	H01L31/103(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片至一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，其结构自下而上依次为：Si衬底，与Si衬底牢固结合的CdTe缓冲层，在CdTe缓冲层上的微台面异质结光电二极管。本实用新型的优点是：相比于传统结构的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片，本实用新型的硅基碲镉汞长波光电二极管芯片采用n-on-P⁺或p-on-N⁺结构；能够抑制界面复合，提高器件性能；在不使用滤光片的情况下获得窄带响应光谱，提高长波段的探测率；保证大面阵红外探测器象元串联电阻的一致性。