一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法
- 申请号：CN201410491607.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院海洋研究所
- 公开(公开)号：CN104264158A
- 公开(公开)日：2015.01.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410491607.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104264158A | 公开（授权）日 | 2015.01.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院海洋研究所 | 发明（设计）人 | 李红;王秀通;张亮;侯保荣 |
| 主分类号 | C23F13/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F13/12(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I;C25D5/54(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 至一种石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法，涉及一种复合膜光阳极。提供一种具有高效的用于光生阴极保护的石墨烯/CdTe-TiO2复合膜光阳极的制备方法。以钛箔作为基体，以氢氟酸溶液为电解质溶液，铂作为对电极，进行阳极氧化后煅烧，即可在钛表面制得TiO2纳米管阵列膜；采用循环伏安沉积法，首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积石墨烯量子点，以配制的氧化石墨烯溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将石墨烯沉积在TiO2纳米管阵列膜表面，即制得石墨烯/TiO2复合膜；然后在制得的石墨烯/TiO2复合膜表面沉积CdTe量子点，以TeO2、CdSO4和盐酸的混合溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将CdTe沉积在石墨烯/TiO2复合膜表面，最终制得石墨烯/CdTe-TiO2复合膜。 | ||
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