专利详情

专利名称	一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
申请号	CN201410520059.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104267503A	公开（授权）日	2015.01.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	姚丹阳;张锦川;周予虹;贾志伟;闫方亮;王利军;刘俊岐;刘峰奇;王占国
主分类号	G02B27/09(2006.01)I	IPC主分类号	G02B27/09(2006.01)I
专利有效期	一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构至一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。