专利详情

专利名称	一种低维有机倍频晶体的构筑方法
申请号	CN201310261811.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104250845A	公开（授权）日	2014.12.31
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	赵永生;谷建民;闫永丽;姚建年
主分类号	C30B7/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B7/00(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I
专利有效期	一种低维有机倍频晶体的构筑方法至一种低维有机倍频晶体的构筑方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低维有机倍频晶体简单的构筑方法，利用主-客体包合配位自组装的策略，诱导客体分子以非中心对称的结构排列，通过反溶剂扩散的方法使包合配合物分子聚集成为低维有机倍频晶体。具体包括包合配合物的合成；低维有机晶体材料的可控合成以及低维有机晶体材料的二阶非线性光学性质的表征三个步骤。本发明所提供的构筑方法工艺简单、操作方便、环境友好、且对于合成类似的低维有机倍频晶体是具有普适性的。这种构筑策略可以极大地拓宽二阶非线性光学材料的选材范围。这种材料有望用作集成纳米光子回路中的微纳光源器件。