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高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统

  • 申请号:CN201410552905.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN104242646A
  • 公开(公开)日:2014.12.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统
申请号 CN201410552905.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104242646A 公开(授权)日 2014.12.24
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 李志强;张雪;萧延彬;张海英
主分类号 H02M3/155(2006.01)I IPC主分类号 H02M3/155(2006.01)I
专利有效期 高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统 至高频DC-DC降压拓扑和集成芯片以及相关系统 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本申请公开了一种高频DC-DC降压拓扑及其集成芯片,本申请公开的所述高频DC-DC降压拓扑中设置有所述第一MOS管和所述谐振电感,使得所述高频DC-DC降压拓扑中的第二MOS管与第三MOS管实现了零电压导通,即本申请提供的所述高频DC-DC降压拓扑中的开关管全部实现了软开关控制,因此本申请提供的高频DC-DC降压拓扑明显降低了在甚高频状态下工作时的能量损耗。

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