专利详情

专利名称	一种制备自封闭纳米通道的方法
申请号	CN201310231538.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104229724A	公开（授权）日	2014.12.24
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;尹红星;李俊杰;田士兵;全保刚;夏晓翔;杨海方
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种制备自封闭纳米通道的方法至一种制备自封闭纳米通道的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；步骤E：在去离子水中浸泡；步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。该方法制备方法简单，制备的纳米通道形状可以按照需求进行设计，长度可以达到厘米量级，且高度可精确控制并连续可调。同时SiN纳米通道的结构强度较高，且该方法具有较好的可控性、方便性和实用性。