专利详情

专利名称	封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法
申请号	CN201310234503.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104236766A	公开（授权）日	2014.12.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;王家畴
主分类号	G01L1/18(2006.01)I	IPC主分类号	G01L1/18(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法至封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法。所述芯片至少包括：形成在单晶硅基片一表面的两个同结构同尺寸的悬臂梁，每一悬臂梁表面开设有参考压力腔体，每一参考压力腔体表面覆盖有单晶硅压力敏感薄膜，且在每一单晶硅压力敏感薄膜表面形成有多个电阻，各电阻连接成惠斯顿全桥检测电路；此外，在临近每一悬臂梁与单晶硅基片的连接处形成有应力释放凹槽，以释放封装应力；再有，两参考压力腔体中的一者通过压力释放通道连通导压孔以便该个参考压力腔体与外界大气相通。本发明的传感器能实现对封装应力与零点温漂的自补偿，提高了传感器的检测稳定性和封装环境适应可靠性；具有芯片尺寸小、成本低、适于大批量生产等特点。