专利详情

专利名称	一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
申请号	CN201410513040.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104241338A	公开（授权）日	2014.12.24
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍瑞彬;申华军;白云
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I
专利有效期	一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法至一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SiC金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，该SiC金属氧化物半导体晶体管包括：源极、栅极、SiO₂氧化物介质、N⁺源区、P⁺接触区、优化掺杂的P阱、优化掺杂的主结、N^-外延层、缓冲层、N⁺衬底、漏极、优化掺杂的场限环、截止区和隔离介质。本发明提出的制备SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件的方法，能够通过较少能量组合的Al注入，形成优化浓度分布的P^-阱及终端结构的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其制备工艺相对简单，并且可以兼顾器件导通特性和击穿特性。通过本发明制备的SiC金属氧化物半导体场效应晶体管器件，可用于功率开关电源电路，DC/DC、AC/DC、DC/AC变换器等。