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基于柱面扫描三维近场成像的反向散射截面测量方法

  • 申请号:CN201410429761.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
  • 公开(公开)号:CN104215953A
  • 公开(公开)日:2014.12.17
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于柱面扫描三维近场成像的反向散射截面测量方法
申请号 CN201410429761.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104215953A 公开(授权)日 2014.12.17
申请(专利权)人 中国科学院电子学研究所 发明(设计)人 吕晓德;邢曙光;丁赤飚;林宽
主分类号 G01S7/41(2006.01)I IPC主分类号 G01S7/41(2006.01)I;G01S13/89(2006.01)I
专利有效期 基于柱面扫描三维近场成像的反向散射截面测量方法 至基于柱面扫描三维近场成像的反向散射截面测量方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种基于柱面扫描的三维近场成像的反向散射截面测量方法。该反向散射截面测量方法包括:在所选定的频率范围内,收发天线以一定的步进频率沿设定的圆柱表面进行扫描测试,获得未放置待测目标时和放置待测目标后的散射回波数据;根据未放置待测目标时和放置待测目标后的散射回波数据计算背景对消后待测目标真实的散射回波数据;利用背景对消后待测目标真实的散射回波数据进行三维成像,得到目标的三维雷达散射图像ψe(x,y,z);获得定标体的三维雷达散射图像ψecal(x,y,z);计算出待测目标的目标雷达散射截面RCS值本发明既能得到目标的三维雷达散射图像,又能得到一定立体角域内的目标RCS值,能够更清晰、更具体、更全面地获得目标的电磁散射特征。

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