专利详情

专利名称	聚金属碳硅烷及其制备方法和应用
申请号	CN201410398745.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104211967A	公开（授权）日	2014.12.17
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	张伟刚;戈敏;田跃龙;于守泉;吕晓旭
主分类号	C08G77/60(2006.01)I	IPC主分类号	C08G77/60(2006.01)I;C04B35/571(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	聚金属碳硅烷及其制备方法和应用至聚金属碳硅烷及其制备方法和应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	聚金属碳硅烷及其制备方法和应用，聚金属碳硅烷的结构式如下：其中，R为甲基、乙基、丙基、乙烯基、氯甲基、苯基或苯乙基；M为Ti、Zr或Hf；m为等于或大于1的整数，n为等于或大于0的整数，Cp₁与Cp₂各自为环戊二烯基或取代环戊二烯基。本发明采用茂金属催化有机硅烷加成聚合反应生成聚金属碳硅烷的方法，聚合物中金属含量可调，反应步骤简单，反应条件温和，制备成本低。本发明提供的聚金属碳硅烷在1100℃以上惰性气氛中热处理即可转化为高纯度的SiC·MC复相陶瓷。