专利详情

专利名称	窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法
申请号	CN201410441540.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104211044A	公开（授权）日	2014.12.17
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘畅;赵石永;侯鹏翔;成会明
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法至窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体性富集、且特定手性占优单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法。以醇类液态有机物为碳源，氩气为载气和保护气，以高温下结构稳定的多孔介质为担载体，通过浸渍法及后续热处理制备高分散度的双金属催化剂，利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管。双金属催化剂中的一相为高温稳定相，另一相为催化活性相。利用这种催化剂的独特高温结构稳定性，适宜的碳源分解能力，在较宽温度范围内选择性合成了窄手性分布、高质量的半导体性单壁碳纳米管。本发明突破目前窄手性分布碳纳米管生长量少、缺陷多或生长窗口窄等难题，实现宏量、窄手性分布、半导体性单壁碳纳米管的富集生长。