专利详情

专利名称	含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池
申请号	CN201410426193.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104201220A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生
主分类号	H01L31/04(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/04(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池至含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。