专利详情

专利名称	真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法
申请号	CN201410342656.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104200983A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院近代物理研究所	发明（设计）人	孙国平;李学敏;张小奇;王文进;徐大宇;王丰;雷海亮;李寿陆;谢春安
主分类号	H01F41/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01F41/02(2006.01)I;H01F41/06(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I
专利有效期	真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法至真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及离子束偏转电磁铁---四通道异形偏转磁铁的制造工艺技术领域，尤其是涉及一种真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法。其通过：分别加工左、右磁体和中间磁体的四周和上下面，然后在大型数控加工中心上完成三块磁铁的斜面；以磁体底面做基准，在大型数控加工中心上分别加工三块磁铁上的线圈槽；将加工好的磁体进行预装配；在加工好的线圈绕线模具上绕制线圈；采用环氧真空浇注线圈；完成环氧真空浇注后将线圈封装在真空盒中；对装有线圈的真空盒进行氦质谱真空检漏，真空度达到1x10^-8Pa，真空漏率不大于1x10^-9Pa.L/S；将检漏合格的装有线圈的真空盒和铁芯进行装配，并做磁场测试。磁铁结构稳定性佳、装配简单、便捷、调节方便、加工精度高、外形尺寸及形状误差小。