专利详情

专利名称	表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构
申请号	CN201410417988.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104200836A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;何伟伟;罗杰馨;王曦
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I;G11C29/08(2006.01)I
专利有效期	表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构至表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构，所述存储器单元的表征抗电流噪声容限的方法步骤为：扫描单元第一存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；反扫描第二存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；将两条曲线叠加得一相交于三点的曲线；计算两侧点分别与中间点的电流差值，取两者较小值，其值即为单元的最大抗电流噪声容限值；本发明还提供本表征单元抗电流噪声容限的测试结构。本发明的表征静态随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构具有直观、测量精确，适用性强等优点。