专利详情

专利名称	一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法
申请号	CN201410479415.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104198164A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	朱咸昌;胡松;赵立新
主分类号	G01M11/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01M11/02(2006.01)I
专利有效期	一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法至一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于哈特曼波前检测原理的检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。利用微透镜阵列对携带有硅片位置信息的波前进行检测，根据哈特曼波前检测原理，微透镜阵列的各个子单元将球面波波前分割，并成像于各自的焦面上。当硅片位于焦面位置时，微透镜阵列入射波前为平面波，衍射光斑位于微透镜阵列各个子单元的焦点上；当硅片存在离焦时，微透镜阵列入射波前为球面波，衍射光斑在微透镜阵列焦面上产生偏移。根据哈特曼波前检测原理，通过微透镜阵列对平面和球面波前成像光斑偏移，即可完成球面波前检测，从而完成硅片离焦测量。该检焦系统结构简单、精度和效率较高，适用于各类光刻机的高精度、实时性检焦测量。