专利详情

专利名称	基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法
申请号	CN201410432104.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104199026A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	吕晓德;邢曙光;丁赤飚;林宽
主分类号	G01S13/89(2006.01)I	IPC主分类号	G01S13/89(2006.01)I;G06F19/00(2011.01)I;G01S7/40(2006.01)I;G01S7/36(2006.01)I
专利有效期	基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法至基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法。该反向散射截面测量方法包括：在所选定的频率范围内，收发天线以预设的步进频率沿设定的扫描线迹进行扫描，由矢量网络分析仪获得线迹散射测量点上放置待测目标前后的散射测量数据；对线迹散射测量点上放置待测目标前后的散射测量数据进行背景对消；选取最优聚焦的散射图像P；由最优聚焦的二维散射图像P提取目标的有效散射系数将待测目标更换为定标体，获得定标体的有效散射系数计算出待测目标的真实目标雷达散射截面RCS值。本发明既能得到目标的散射图像，又能得到目标的RCS值，能够更清晰、更具体、更全面地获得目标的电磁散射特征。