专利详情

专利名称	一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法
申请号	CN201410479923.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104199258A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	朱咸昌;胡松;赵立新
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法至一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于二维双频光栅剪切干涉的纳米级检焦方法，其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置，完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统通过二维光栅在子午面和弧矢面由两类不同频率的光栅剪切干涉，根据测量子午和弧矢面内4个区域的干涉条纹位相差异，计算相应区域的高度差，从而完成光刻机硅片的高精度检焦。该检测系统具有剪切干涉系统共光路特性，系统结构简单，具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性；利用相应探测器同时完成硅片曝光区域边缘4个位置高度差测量，同步完成硅片的检焦和调平测量，适用于大面积曝光系统的高精度、实时性测量。