专利详情

专利名称	一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法
申请号	CN201410446308.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104193321A	公开（授权）日	2014.12.10
申请（专利权）人	中国科学院新疆理化技术研究所	发明（设计）人	徐金宝;张家齐;边亮;王磊
主分类号	C04B35/453(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/453(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I
专利有效期	一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法至一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料，该材料是由二氧化锡、三氧化二铋、三氧化二锑和三氧化二钇制成，采用强制微观混合方法，以胶体磨为反应容器，通过成核/生长隔离方法制备高性能纳米二氧化锡复合粉体。制备性能优良的纳米氧化锡复合粉体是获得高性能高压压敏电阻器的关键。成核/生长隔离制备采用强制微观混合技术，将盐溶液与碱溶液在反应器转子与定子之间的缝隙处迅速充分混合，从而使材料具有粒子尺寸小和分布均匀的特性，在晶粒成长过程中能够使得锌元素与其他改性元素共沉淀，提高了复合粉体的微观均匀性。从而得到粒径小、改性氧化物分布均匀、粒径分布狭窄的二氧化锡纳米复合粉体。