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一种垂直结构发光二级管显示阵列

  • 申请号:CN201410442830.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN104183586A
  • 公开(公开)日:2014.12.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种垂直结构发光二级管显示阵列
申请号 CN201410442830.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN104183586A 公开(授权)日 2014.12.03
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 刘立莉;薛斌;裴艳荣;卢鹏志;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号 H01L25/075(2006.01)I IPC主分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;G09F9/33(2006.01)I
专利有效期 一种垂直结构发光二级管显示阵列 至一种垂直结构发光二级管显示阵列 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种垂直结构发光二极管全彩阵列的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:在一基板上制作用于连接发光二极管阵列的电路和用于焊接发光二极管的金属凸点;其中,所述发光二极管阵列在所述基板上由多个最小单元组合而成,每个最小单元中制作有三个金属凸点和一个公共焊点,所述三个金属凸点分别由三条平行的电路引出,所述公共焊点由于所述三条平行的电路垂直的一条电路引出;步骤2:将垂直结构发光芯片的第二电极固定在基板的相应金属凸点上,形成电连接;步骤3:将垂直结构芯片的第一电极通过固定在基板上的公共焊点上,形成电连接;步骤4:在垂直结构芯片上方整面涂胶,将发光二极管阵列整体封装在基板上。

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