一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法
- 申请号：CN201410294934.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院海洋研究所
- 公开(公开)号：CN104164693A
- 公开(公开)日：2014.11.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410294934.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN104164693A | 公开（授权）日 | 2014.11.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院海洋研究所 | 发明（设计）人 | 李红;侯保荣;王秀通 |
| 主分类号 | C25D11/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/26(2006.01)I;C25D9/08(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法 至一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种石墨烯敏化CdSe/TiO2纳米管复合膜的制备方法，涉及一种纳米管复合膜。以钛箔作为基体，以氢氟酸溶液为电解质溶液，铂作为对电极，进行阳极氧化后煅烧，即可在钛表面制得TiO2纳米管阵列膜；采用循环伏安沉积法，首先在TiO2纳米管阵列膜表面沉积石墨烯量子点，以配制的氧化石墨烯溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将石墨烯沉积在TiO2纳米管阵列膜表面，即制得石墨烯/TiO2复合膜；然后在制得的石墨烯/TiO2复合膜表面沉积CdSe量子点，以SeO2、CdSO4和硫酸的混合溶液为电解质溶液，以铂为对电极，以饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，将CdSe沉积在石墨烯/TiO2复合膜表面，最终制得石墨烯敏化的CdSe/TiO2纳米管复合膜。 | ||
交易流程
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