专利详情

专利名称	三维存储器及其制造方法
申请号	CN201410404550.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104157654A	公开（授权）日	2014.11.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明;靳磊
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	三维存储器及其制造方法至三维存储器及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种三维存储器制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第一开孔；在每个第一开孔中形成填充层；在每个第一开孔周围，刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第二开孔；在每个第二开孔中形成垂直的沟道层和漏极；选择性刻蚀去除填充层，重新露出第一开孔；侧向刻蚀部分或者完全去除第二材料层，留下凹槽；在凹槽中形成栅极堆叠结构；在每个第一开孔底部的衬底上和/或中形成共源极。依照本发明的三维存储器制造方法，将TCAT三维器件的字线深槽替换为深孔刻蚀来完成相同的功能，提高集成密度，简化堆叠结构的刻蚀工艺，保留了金属栅控制性能。