专利详情

专利名称	一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法
申请号	CN201310145993.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN104124248A	公开（授权）日	2014.10.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法至一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法，该闪存单元包括：衬底；于衬底表面之下通过注入形成的共源区和漏区；于共源区与漏区之间的衬底表面形成的沟道区；形成于沟道区之上的隧穿层；形成于隧穿层之上的存储层；形成于存储层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的栅电极；其中，该共源区形成过程中首先采用外延工艺实现共源区域的抬升，随后通过在浅槽隔离区下方和闪存单元的共源区进行离子注入形成浅槽隔离区下方与共享源区低阻连接。本发明通过引入外延工艺在实现共源区抬升的同时完成了浅槽隔离区沿沟宽方向上有源区的扩展，有效拟制了传统NOR型闪存器件尺寸缩小过程中的穿通效应，实现NOR型器件沿沟长方向的进一步按比例缩小。