专利详情

专利名称	嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件
申请号	CN201420145033.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203883004U	公开（授权）日	2014.10.15
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	谢晶;袁永刚;李晓娟;王玲;王继强;马丁;刘伯路;李向阳
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I
专利有效期	嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件至嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。