铌酸钾钠KNN单晶的制备方法
- 申请号:CN201310028109.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN103966659A
- 公开(公开)日:2014.08.06
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 铌酸钾钠KNN单晶的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310028109.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103966659A | 公开(授权)日 | 2014.08.06 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 邓昊;罗豪甦;赵祥永;李晓兵;张海武;陈超;陈建伟;林迪;任博;狄文宁;徐海清;王西安;王升;焦杰;王威 |
| 主分类号 | C30B15/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I |
| 专利有效期 | 铌酸钾钠KNN单晶的制备方法 至铌酸钾钠KNN单晶的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法,包括如下步骤:按照摩尔比x:(1-x):1称取K2CO3、Na2CO3和Nb2O5,球磨混匀,高温下坩埚热处理得到KNN(KxNa1-xNbO3)多晶;再照摩尔比yx:y(1-x):100称取K2CO3助熔剂、Na2CO3助熔剂和KxNa1-xNbO3,球磨混匀,高温下坩埚热处理;将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚,采用顶部籽晶(优先选择<001>方向KNN单晶)助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm,长度大于10mm的KNN单晶,其压电常数d33达到120pC/N,机电耦合系数kt达到48.3%。 | ||
交易流程
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专利 -
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