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铌酸钾钠KNN单晶的制备方法

  • 申请号:CN201310028109.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN103966659A
  • 公开(公开)日:2014.08.06
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 铌酸钾钠KNN单晶的制备方法
申请号 CN201310028109.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103966659A 公开(授权)日 2014.08.06
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 邓昊;罗豪甦;赵祥永;李晓兵;张海武;陈超;陈建伟;林迪;任博;狄文宁;徐海清;王西安;王升;焦杰;王威
主分类号 C30B15/00(2006.01)I IPC主分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/30(2006.01)I
专利有效期 铌酸钾钠KNN单晶的制备方法 至铌酸钾钠KNN单晶的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种制备铌酸钾钠KNN单晶的方法,包括如下步骤:按照摩尔比x:(1-x):1称取K2CO3、Na2CO3和Nb2O5,球磨混匀,高温下坩埚热处理得到KNN(KxNa1-xNbO3)多晶;再照摩尔比yx:y(1-x):100称取K2CO3助熔剂、Na2CO3助熔剂和KxNa1-xNbO3,球磨混匀,高温下坩埚热处理;将生长用起始用料置于生长坩埚中并填满坩埚,采用顶部籽晶(优先选择<001>方向KNN单晶)助熔剂提拉法生长KNN单晶。本发明提供的技术可以生长直径大于25mm,长度大于10mm的KNN单晶,其压电常数d33达到120pC/N,机电耦合系数kt达到48.3%。

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