专利详情

专利名称	三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法
申请号	CN201410147918.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103955252A	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李婷;霍宗亮;刘明
主分类号	G05F1/567(2006.01)I	IPC主分类号	G05F1/567(2006.01)I
专利有效期	三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法至三维存储器的参考电流产生电路及其产生参考电流的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种面向三维存储器的零温度系数参考电流产生电路，该参考电流产生电路包括电压产生模块和电流产生模块，其中：电压产生模块用来产生温度系数和电压值均可调的第二电压V₂；电流产生模块用来产生零温度系数的电流I_ref，其中，电流产生模块由两个均工作在饱和区的NMOS晶体管并联而成，电压产生模块产生的第二电压V₂同时连接于两个NMOS晶体管的栅端，其中一个NMOS晶体管在第二电压V₂的作用下产生正温度系数的电流，另一个NMOS晶体管在第二电压V₂的作用下产生负温度系数的电流，通过正温度系数的电流与负温度系数的电流的组合，电流产生模块输出零温度系数的电流I_ref。本发明还公开了一种面向三维存储器的产生零温度系数参考电流的方法。