专利详情

专利名称	一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元
申请号	CN201410208999.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103956184A	公开（授权）日	2014.07.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元至一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元，该单元包括以下结构：4个反相器结构，所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由4个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点。本发明通过采用改进后的基于DICE结构的SRAM存储单元，避免了传统六管单元结构静态噪声容限小，传输易出错的缺陷，解决了现有基于DICE结构SRAM存储单元易受存储节点电平影响的问题，提高了存储单元的可靠性。