专利详情

专利名称	一种具有网状外延结构的超结MOSFET
申请号	CN201410123064.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904120A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙博韬;王立新;宋李梅;张彦飞;高博
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期	一种具有网状外延结构的超结MOSFET 至一种具有网状外延结构的超结MOSFET	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结型场效应管JFET区相间生长在网状外延层顶部；栅介质层覆盖在阱区与结型场效应管JFET区顶部；多晶硅栅极覆盖在栅介质层上；隔离介质层覆盖多晶硅栅极顶部；金属源电极覆盖所述隔离介质层；金属漏电极位于衬底底部。本发明通过网状外延层，使得器件处于阻断状态时，不存在由外延层底部直接指向表面栅极附近的电场，从而避免器件处于阻断状态并受到重离子轰击时，由外延层底部流向表面栅极附近的电流通路，提高器件抗单粒子能力。