专利详情

专利名称	一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法
申请号	CN201410068517.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103901698A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	梁万国;陈怀熹;宋国才
主分类号	G02F1/355(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/355(2006.01)I
专利有效期	一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法至一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法，用于制备优良的铁电晶体材料（包括LiNbO₃、掺MgOLiNbO₃、LiTaO₃、KTiOPO₄等）周期性畴反转光栅。该发明是基于一系列的电极结构制作处理方法，包括在铁电晶体材料+z面上制作出梳状光栅电极、-z面上制作金属电极、制作+z面除电极外其他区域的选择性质子交换层以及覆盖在该交换层上的绝缘介质层，通过本发明可以获得在极化过程中有效地压制反转畴域侧向生长的方法，解决了利用外加脉冲电压方法制作超短周期的周期性极化晶体材料（PPXX）时所遇到的畴域合并的难题，实现了对大厚度（大于1mm）短周期（小于6μm）铁电晶体材料的周期性极化，最后结果表明利用该方法所制作的周期性畴反转光栅的垂直性优越。