专利详情

专利名称	一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器
申请号	CN201410112845.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103904556A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;刘磊;刘云;渠红伟;张冶金;郭文华;石岩
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器至一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种斜侧壁倾斜波导光子晶体半导体激光器，包括：叠层结构，该叠层结构包括：N型衬底；形成于N型衬底下表面的下电极；形成于N型衬底上表面的N型限制层；形成于N型限制层之上的光子晶体；形成于光子晶体之上的有源层；形成于有源层之上的P型限制层；及形成于P型限制层之上的P型盖层；从叠层结构表面对叠层结构进行刻蚀于叠层结构上部中间位置形成的端面为正梯形的脊型结构；于具有脊型结构的叠层结构之上形成的SiO₂绝缘层；以及去除脊型结构上表面的SiO₂绝缘层并于露出的P型盖层之上及未被去除的SiO₂绝缘层表面形成的上电极。利用本发明可以降低窄垂直发散角光子晶体半导体激光器的制作成本，提高激光器的综合性能。